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NZQA5V6AXV5 Series
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
I PP
Maximum Reverse Peak Pulse Current
V C
Clamping Voltage @ I PP
I F
I
I R V F
V RWM
I R
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
V C V BR V RWM
I T
V
V BR
I T
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
Q V BR
I F
V F
Z ZT
I ZK
Z ZK
Maximum Temperature Coefficient of V BR
Forward Current
Forward Voltage @ I F
Maximum Zener Impedance @ I ZT
Reverse Current
Maximum Zener Impedance @ I ZK
I PP
Uni ? Directional
*See Application Note AND8308/D for detailed explanations of
datasheet parameters.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
Typ
Capacitance
Typ
Capacitance
Breakdown
Voltage
V BR @ 1 mA (V)
Leakage
Current
I RM @ V RM
V C Max @ I PP
(Note 4)
@ 0 V Bias
(pF)
(Note 3)
@ 3 V Bias
(pF)
(Note 3)
V C
Device
NZQA5V6AXV5
Device
Marking
5P
Min
5.3
Nom
5.6
Max
5.9
V RWM
3.0
I RWM
( m A)
1.0
V C
(V)
13
I PP
(A)
1.6
Typ
13
Max
17
Typ
7.0
Max
11.5
Per
IEC61000 ? 4 ? 2
(Note 5)
Figures 1 and 2
(See Below)
NZQA6V8AXV5
6H
6.47
6.8
7.14
4.3
1.0
13
1.6
12
15
6.7
9.5
3. Capacitance of one diode at f = 1 MHz, V R = 0 V, T A = 25 ° C
4. Surge current waveform per Figure 5.
5. For test procedure see Figures 3 and 4 and Application Note AND8307/D.
Figure 1. ESD Clamping Voltage Screenshot
Positive 8 kV Contact per IEC61000 ? 4 ? 2
Figure 2. ESD Clamping Voltage Screenshot
Negative 8 kV Contact per IEC61000 ? 4 ? 2
http://onsemi.com
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